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氮化铝 AlN 陶瓷元件

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氮化铝(AlN)具有高导热性和强绝缘性能,广泛应用于电子行业。

氮化铝具有接近硅优异的抗等离子体性能,特别适合用于半导体加工设备组件。

属性 单位 氮化铝
密度 gm/cc 3.335
颜色 深灰
弯曲强度(MOR) Mpa 382.7
弹性模量 Gpa 320
泊松比 0.24
抗压强度 Mpa 2500
硬度 Gpa 10
热导性 W/m°K 170
最高使用温度 °C 800

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性能:

① 良好的光传输特性。

② 各种电性能(介电常数、介电损耗、体电阻率、介电强度)优异。

③ 机械性能好,抗折强度高于氧化铝和氧化铍陶瓷,可在常压下烧结。

④ 热导率高(约320W/m·K),接近氧化铍和碳化硅,是氧化铝的5倍以上。

低热膨胀  高热导性 高绝缘性

应用:

① 氮化铝的硬度高于传统氧化铝,是一种新型的耐磨陶瓷材料。

② 高纯度、小粒径和高活性的氮化铝粉末是制造高导热氮化铝陶瓷基板的主要原料。

③ 氮化铝陶瓷基板具有高导热性、低膨胀系数、高强度、耐高温、耐化学腐蚀、高电阻率、低介电损耗等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。

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